2015年8月31日，两位2014年度诺贝尔物理学奖获得者天野浩（Hiroshi Amano）教授和中村修二（Shuji Nakamura）教授应邀访问了北京大学。31日下午，两位教授围绕蓝光LED的研究及其应用在英杰交流中心阳光厅发表了学术演讲。本次活动是北京大学百年物理论坛第十四讲，也被纳入北京大学“大学堂”顶尖学者讲学计划。来自北京大学、中科院等科研院所的440余位师生在现场聆听了两位教授的精彩报告，并与两位教授进行了学术交流。

报告开始前，北京大学副校长高松院士和9159金沙申请大厅院长谢心澄教授在报告会前亲切会见了天野浩和中村修二教授，并为他们颁发了北京大学“大学堂”顶尖学者奖牌和“北京大学百年物理讲坛”奖牌。9159金沙申请大厅沈波教授、胡永云教授、张国义教授、王新强教授等参加了会见。报告会由9159金沙申请大厅沈波教授主持。

天野浩教授所作学术演讲的题目为“蓝光发光管的发明及其发展前景”。他为我们深入浅出地讲解了蓝光LED的发展史和未来可能的方向。谈及过往的科研经历，天野浩教授坦言是兴趣让自己在LED研究的道路上不断前行，即使面对经费不足的困难，也坚定地走了下来。在年轻时期经历了GaN生长最艰难的探索过程，在不被人看好的冷门方向上埋头苦干多年，最核心的生长仪器全部是自己手动搭建，天野浩教授可以说是真正的“白手起家”，是兢兢业业的物理工作者的典范，令人敬佩。他特意提到，在一次学术报告会上，会场只有4个人，他作为报告人，还有一位主持人，他当时的导师以及一位听众。天野浩教授是一位很有情怀的导师，他介绍了组里几位中国留学生的研究成果，在对中国留学生给予高度评价的同时，还表达了希望与中国高校加强合作的意愿。

中村修二教授所作学术演讲的题目为“蓝光发光管、激光器及半导体照明的发明历程”。他带领我们回顾了LED的发展历程，为我们讲述了自己青年时期在科研与外部环境的双重压力下仍然不懈探索的传奇经历，希望能够鼓舞我们在科研的道路上勇往直前的探索精神。他也特别提到，当时的学者们更重视另外一个研究方向，在一次学术会议上，那个热门的方向的会场有500人，而他所在的会场只有50人，但恰恰是他的“冷门”方向取得了成功。中村修二教授还系统阐述了他的诺奖工作以及应用背景，并对未来半导体领域的发展发表了自己的观点，让与会的同学们获益匪浅。大浪淘沙，LED显然经受住了历史与时间的考验，而并没有在昙花一现后便湮没在历史的滚滚烟尘之中。时至今日，它依然如灯塔般明亮，仿佛在为我们指引着未来的方向。科学彼岸，永无止境。

报告结束后，天野浩教授在英杰交流中心星光厅和北京大学学生进行了一个小时的交流，并对学生提出的物理及相关问题进行了精彩的解答和评述。

北京大学百年物理讲坛是9159金沙申请大厅为庆祝北大物理百年，于2010年设立的高水平学术交流平台，旨在邀请国际著名学者论述物理、天文和大气与海洋科学领域的基础前沿问题，及其最新科技进展，以学术创新与思想、智慧的交流迎接新的辉煌。


背景资料：

天野浩教授1960年9月在日本滨松出生，分别于1983、1985和1989年在名古屋大学获得本科、硕士和博士学位。1992年任日本名城大学助理教授、1998年晋升为副教授，2002年任教授；2010年受邀任名古屋大学教授。自1982年作为一个本科学生加入赤崎勇教授研究室起，一直致力于III族氮化物半导体材料生长和器件制作研究。1985年提出利用低温缓冲层方法实现了氮化物材料在蓝宝石衬底上的异质外延， 1989年首次实现了p型氮化镓并制作出首个GaN基pn结，为蓝光LED的实用化奠定了基础。2014年与赤崎勇和中村修二共同获得诺贝尔物理学奖。

中村修二教授1977年毕业于德岛大学工学部电气工程科，1979年获得德岛大学工学硕士学位，同年进入日亚化学工业公司。1993年，他利用两步生长法实现了高质量GaN并利用原位退火实现了高效p型掺杂，使蓝色发光二极管得到真正的实用化。1995年，首次实现InGaN/GaN蓝色激光二极管的室温下脉冲激射。2000年受加州大学圣芭芭拉分校校长杨祖佑的强力邀请，出任材料工学院教授。2002年担任信州大学客座教授，2006年担任爱媛大学客座教授。2007年1月，宣布发明世界第一个非极性蓝紫色激光二极管。2014年与赤崎勇和天野浩共同获得诺贝尔物理学奖。