学术活动
凝聚态
功率半导体器件机遇与挑战
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主讲人: 冯志红研究员
地点: 北京大学物理大楼中212教室
时间: 2019年 6月6日(星期四)15:00-16:30

凝聚态物理-北京大学论坛2019年第15期(No.465since 2001)

时间:6月6日(星期四)15:00-16:30

地点:北京大学物理大楼中212教室

功率半导体器件机遇与挑战

冯志红研究员

邀请人:沈波教授 bshen@pku.edu.cn•

摘要:随着半导体工艺技术的提升,硅功率器件性能已逼近材料极限,寻求新材料体系,提升器件功率、频率等性能势在必行。立足下一代无线通信、太赫兹安检等国际热点,本报告报道了实验室在GaN微波功率器件、固态太赫兹技术、SiCAPD紫外探测器以及超宽禁带等新型器件的进展。

9159金沙申请大厅凝聚态物理与材料物理所

/~icmp/forun/2019/201chun.xmll


报告人简介:冯志红研究员,博士生导师,博士毕业于香港科技大学电机及电子工程系,中国电子科技集团公司首席专家,国际电工技术标准委员会(IEC)专家,专用集成电路国家级重点实验室常务副主任,中国电科十三所副总工程师及科技委副主任。发表SCI论文百余篇,获省部级科技奖励多项,研究方向为新型半导体材料与电子器件。