2008 08 06 8:30

2008宽禁带半导体暑期学校圆满结束

2008年7月31日至8月6日，由国家自然科学基金委、北京大学宽禁带半导体中心及国家半导体照明工程研发及产业联盟共同主办的《2008宽禁带半导体物理与器件暑期学校》在大连举行。近100名学员参加了学习，分别来自北京大学、清华大学和南京大学等院校，以及中科院半导体所和物理所等科研单位。

在暑期学校中，来自美国亚利桑那州立大学、堪萨斯州立大学、加州大学伯克利分校、佛罗里达大学、北卡来罗莱州立大学以及日本东京大学、名古屋大学和名城大学的十位知名教授授共做了十七个专题报告课。涉及宽禁带半导体材料、器件和物理的诸多方面。既有当今科技前沿的展望，如半导体量子点在量子信息、单光子发射器以及光通讯的应用，GaN基HEMT在化学、生物探测中的实例，ZnO纳米线等纳米材料中的光波导研究；又有针对实际应用问题的剖析，如GaN基材料不同极性面的生长以及位错行为的研究，芯片的3D封装技术、垂直腔面发射激光器的新结构，LED器件内量子效率提高的关键以及其它宽带隙半导体材料和器件等热点问题。学员们说：这些精彩的报告让人耳目一新，大开眼界，更重要的是扩宽了思路，开放了思维，启发极大，为今后的研究提供了可直接借鉴的重要方法和宝贵经验。

此次暑期学校按照国际学术会议的模式举办，会议和讨论语言均采用英语，特别安排了授课教授主持的专题讨论会。学员们表现出的强烈求知欲、敏锐的捕捉问题能力、大胆的提问以及自信的交流给国外教授们留下了深刻的印象，给予高度称赞，认为从这些年轻学子身上实实在在地感受到了中国改革开放三十年的飞速发展与巨大变化。学员们则认为“与相关研究领域的国外知名教授学者面对面进行交流，聆听大师们的教诲，是一次十分难忘的经历。”他们还反映“参加此次暑期学校为今后参加国际学术会议积累了经验，增强了与国外研究者无障碍交流的信心，这也是平常参加国内会议难以做到的。”

北京大学宽禁带半导体中心等主办单位的老师和同学为此次暑期学校做了精心组织和周到安排，付出了许多心血。北京大学研究生院将暑期学校纳入了教学计划，进行规范管理。在所有国外知名学者和学员共同努力和积极参与下，暑期学校取得了圆满成功，获得了各方高度肯定和一致赞扬。